基本参数 •基底加热温度: RT-400 oC; ±1 oC •样品台尺寸：4-12英寸 •前驱体路数：4-8路 •前驱体源管路温度：RT-200 oC; ±1 oC •前驱体源容器：直接挥发式、载气辅助式 •源容器温度：RT-200 oC; ±1 oC •沉积模式: 快速模式、高纵深比模式 、专业掺杂模式 选配 •进气方式：喷淋模式 •可对接手套箱等其他真空装置 •可升级等离子体系统 •可加装臭氧系统，主要用于氧化硅，氧化铁等工艺